“慢正电子束流研究平台的研制和应用”获得2005年度北京市科学技术一等奖

日期 2006-06-05　来源：　作者：中国科学院高能物理研究所　【大中小】　【打印】　【关闭】

　　由尊龙凯时资助的项目“慢正电子束流研究平台的研制和应用”获得2005年度北京市科学技术奖一等奖。　　慢正电子束流技术作为研究物质微观结构的核分析方法，具有对原子尺度缺陷极端敏感的特点，在研究和表征以膜层结构为基础的半导体薄膜材料、辐照损伤、材料表面和界面等微结构和电子结构研究领域独具特色，成为微电子科技和材料科学领域不可或缺的研究方法。　　在尊龙凯时和中国科学院的资助下，中国科学院高能物理研究所经过多年的工作，自行设计和建立了慢正电子束流强度高、单色性能好、性能稳定，具有国际同类装置先进水平的慢正电子束流装置，为开展材料科学和基础物理研究、发展相关延伸技术提供科学研究平台。　　慢正电子束流研究平台的建设涉及核探测、核谱学、粒子束流调控、正电子存贮、以及斩波/聚束等加速器关键技术，属典型的高技术集成。该项目圆满完成了设计目标，在许多方面取得了创新性成果。新型正电子慢化器，设计制备简单，无需在线高温退火处理，转换效率达到2×10的负4次方，获得了国家发明专利；余弦磁场能量选择器，可置于真空外，解决了高电位状态所带来的技术难题和正电子束斑畸变的问题，属原始创新；研制了正电子束流存贮和直流化系统，正电子能散小，为发展慢正电子时间测量方法奠定了基础；建立了新的正电子束流检测方法和符合多普勒能谱、3伽玛能谱等测量方法。以上技术指标均优于国外同类实验室水平。　　慢正电子束流研究平台的建立推动了我国正电子谱学研究的发展，有重要的科学意义和应用前景，特别是作为大科学工程的公用科学平台，为国内外用户提供了一种独特的检测手段。该装置是我国目前唯一正常运行并向我国众多科研单位开放的慢正电子束流系统。几年来，完成开放课题20余项，取得了一批优秀的研究成果。同时为我国国防项目的测试需求提供了大量宝贵机时。项目的完成使我国在该领域参与国际竞争，为北京正负电子对撞机一机多用，充分发挥大科学平台效用做出了贡献。